WSF07N10 - аналоги и даташиты транзистора

 

WSF07N10 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSF07N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF07N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1105K  winsok
 wsf07n10.pdf pdf_icon

WSF07N10

WSF07N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

 8.1. Size:592K  winsok
 wsf07n20.pdf pdf_icon

WSF07N10

WSF07N20 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , P55NF06 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G .

History: 2SK3341N

 

 
Back to Top

 


 
.