WSF07N10 - описание и поиск аналогов

 

WSF07N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF07N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF07N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF07N10 даташит

 ..1. Size:1105K  winsok
 wsf07n10.pdf pdf_icon

WSF07N10

WSF07N10 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSF07N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 195m 7A density , which provide excellent RDSON and 100V gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

 8.1. Size:592K  winsok
 wsf07n20.pdf pdf_icon

WSF07N10

WSF07N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF07N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 200V 0.49 7A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF07N20 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed with

Другие MOSFET... WSD75100DN56 , WSD80100DN56 , WSD80120DN56 , WSD90P06DN56 , WSE3088 , WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , IRF3710 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.