WSF12N10 Todos los transistores

WSF12N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF12N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 170 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm

Encapsulados: TO252

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros