WSF12N10 Todos los transistores

 

WSF12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSF12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 170 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

 Búsqueda de reemplazo de WSF12N10 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

WSF12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  winsok
 wsf12n10.pdf pdf_icon

WSF12N10

WSF12N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF12N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 175m 12Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF12N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchrono

Otros transistores... WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , 2SK3878 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G .

History: SM4802DSK | 2SK1167 | 2SK1162 | SM4603CSK | TK4A60DA | SI3134K | RU60E16L

 

 
Back to Top

 


 
.