WSF12N10 Todos los transistores

 

WSF12N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSF12N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 170 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 36 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WSF12N10 Datasheet (PDF)

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WSF12N10

WSF12N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF12N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 175m 12Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF12N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchrono

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History: HSBA6115 | MTDA0P10FP | MTBA5N10FP | MTBA5C10AQ8 | IRFR214 | MTBA5N10Q8 | KMB3D5N40SA

 

 
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