WSF12N10 - описание и поиск аналогов

 

WSF12N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF12N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF12N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF12N10 даташит

 ..1. Size:695K  winsok
 wsf12n10.pdf pdf_icon

WSF12N10

WSF12N10 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSF12N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 175m 12A density , which provide excellent RDSON and 100V gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF12N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchrono

Другие MOSFET... WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , P55NF06 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.