Справочник MOSFET. WSF12N10

 

WSF12N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF12N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  winsok
 wsf12n10.pdf pdf_icon

WSF12N10

WSF12N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF12N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 175m 12Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF12N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchrono

Другие MOSFET... WSE3099 , WSE9968 , WSE9968A , WSF07N10 , WSF07N20 , WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , IRFB4115 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , WSF18N15 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G .

History: MTBA5N10FP | SI5476DU | SSD9435 | KMA6D5P20Q | IRF7316 | WMQ18P04TS | MTC8958G6

 

 
Back to Top

 


 
.