Справочник MOSFET. WSF12N10

 

WSF12N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSF12N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 36 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WSF12N10

 

 

WSF12N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:695K  winsok
 wsf12n10.pdf

WSF12N10 WSF12N10

WSF12N10 N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF12N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 175m 12Adensity , which provide excellent RDSON and 100Vgate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF12N10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchrono

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top