WSF18N15 Todos los transistores

 

WSF18N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSF18N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WSF18N15 Datasheet (PDF)

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WSF18N15

WSF18N15 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF18N15 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 150V 95m 17Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF18N15 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

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History: RU6055R | SI5504BDC

 

 
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