WSF18N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: WSF18N15
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 72.6 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 17 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 25.1 nC
   Tiempo de subida (tr): 8.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 110 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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WSF18N15 Datasheet (PDF)

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wsf18n15.pdf

WSF18N15 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF18N15 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 150V 95m 17Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF18N15 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

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