WSF18N15 Todos los transistores

 

WSF18N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF18N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72.6 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: TO252

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WSF18N15 datasheet

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WSF18N15

WSF18N15 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF18N15 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 150V 95m 17A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF18N15 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Otros transistores... WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , IRF9540 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G , WSF20P03 , WSF28N06 , WSF30100 , WSF30100D , WSF3012 .

History: WSF28N06 | SI2304 | WMJ25N80M3 | WSD2018ADN22 | WMK15N65F2

 

 

 

 

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