Справочник MOSFET. WSF18N15

 

WSF18N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF18N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF18N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF18N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1530K  winsok
 wsf18n15.pdf pdf_icon

WSF18N15

WSF18N15 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF18N15 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 150V 95m 17Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSF18N15 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , K3569 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G , WSF20P03 , WSF28N06 , WSF30100 , WSF30100D , WSF3012 .

History: NTR1P02T3 | SSF90R260S | PZ5S6JZ | HSBA3031 | SFG110N12PF | STI14NM65N | KX6P02

 

 
Back to Top

 


 
.