WSF18N15 - описание и поиск аналогов

 

WSF18N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF18N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF18N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF18N15 даташит

 ..1. Size:1530K  winsok
 wsf18n15.pdf pdf_icon

WSF18N15

WSF18N15 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF18N15 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 150V 95m 17A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF18N15 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSF09N20 , WSF09N20G , WSF10N40 , WSF12N10 , WSF15N10 , WSF15N10A , WSF15N10G , WSF15P10 , IRF9540 , WSF20N06 , WSF20N20 , WSF20N20G , WSF20P03 , WSF28N06 , WSF30100 , WSF30100D , WSF3012 .

History: WMM25N50C4 | WSD30L20DN | IPP07N03L | SWT69N65K2 | WML340N20HG2 | WMK26N65C4 | WMK25N65EM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.