WSF3410 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF3410
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 60 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 15 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 170 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 21 nC
Tiempo de subida (tr): 10 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSF3410
WSF3410 Datasheet (PDF)
wsf3410.pdf
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WSF3410N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF3410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 90m 15Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSF3410 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchrono
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