WSF3410 Todos los transistores

 

WSF3410 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF3410

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 170 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO252

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WSF3410 datasheet

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WSF3410

WSF3410 N-Ch MOSFET Product Summery General Description The WSF3410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 90m 15A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF3410 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchrono

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History: WMK25N80M3 | WMO16N65SR | WMJ36N60C4 | WMM120N04TS | WML16N70SR | 4N60D

 

 

 

 

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