Справочник MOSFET. WSF3410

 

WSF3410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF3410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF3410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1338K  winsok
 wsf3410.pdf pdf_icon

WSF3410

WSF3410N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF3410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 90m 15Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSF3410 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchrono

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NVD5C454NL | KNU4820B | IXFA4N100P | NTP18N06 | IRHLUC7970Z4 | HSU20N15A | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.