WSF3410 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WSF3410
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WSF3410
WSF3410 Datasheet (PDF)
wsf3410.pdf
WSF3410N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF3410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 90m 15Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSF3410 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchrono
Другие MOSFET... WSF3036A , WSF3038 , WSF3040 , WSF3055 , WSF3085 , WSF3085A , WSF3087 , WSF30P06 , IRF1010E , WSF35P06 , WSF38P10 , WSF4012 , WSF4022 , WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 .
History: SM6F25NSU | HOA2307 | IPD65R1K5CE
History: SM6F25NSU | HOA2307 | IPD65R1K5CE
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
p75nf75 | d880 transistor | 2sc1845 | p60nf06 | 2sa1837 | ksc1845 transistor | irf630 datasheet | mpsa13 equivalent


