Справочник MOSFET. WSF3410

 

WSF3410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF3410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 170 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF3410

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF3410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1338K  winsok
 wsf3410.pdf pdf_icon

WSF3410

WSF3410N-Ch MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSF3410 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 90m 15Afor most of the synchronous buck converter applications .Applications The WSF3410 meet the RoHS and Green Product High Frequency Point-of-Load Synchrono

Другие MOSFET... WSF3036A , WSF3038 , WSF3040 , WSF3055 , WSF3085 , WSF3085A , WSF3087 , WSF30P06 , IRF530 , WSF35P06 , WSF38P10 , WSF4012 , WSF4022 , WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 .

History: NCE20ND15Q | WMO60N02T1 | WMJ12N120D1

 

 
Back to Top

 


 
.