WSF38P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF38P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 54 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 30 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 44 nC
Tiempo de subida (tr): 27 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 129 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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WSF38P10 Datasheet (PDF)
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WSF38P10P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou
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