WSF38P10 Todos los transistores

 

WSF38P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF38P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm

Encapsulados: TO252

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WSF38P10 datasheet

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WSF38P10

WSF38P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

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