WSF38P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF38P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 54 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
- Selección de transistores por parámetros
WSF38P10 Datasheet (PDF)
wsf38p10.pdf

WSF38P10P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IPI100N08N3 | SHD225409 | IRF6601 | 2SK715U-AC | DH100P40E | RQJ0203WGDQA | LSD65R180HT
History: IPI100N08N3 | SHD225409 | IRF6601 | 2SK715U-AC | DH100P40E | RQJ0203WGDQA | LSD65R180HT



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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