Справочник MOSFET. WSF38P10

 

WSF38P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF38P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF38P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF38P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  winsok
 wsf38p10.pdf pdf_icon

WSF38P10

WSF38P10P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

Другие MOSFET... WSF3040 , WSF3055 , WSF3085 , WSF3085A , WSF3087 , WSF30P06 , WSF3410 , WSF35P06 , IRLZ44N , WSF4012 , WSF4022 , WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 , WSF40N10A , WSF40P03 .

History: IRF9388 | NVMFD024N06CT1G | EMF90P02A | MTB09N03H8 | WMN10N80M3 | IPP120N06S4-03 | 2SK1594

 

 
Back to Top

 


 
.