Справочник MOSFET. WSF38P10

 

WSF38P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF38P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF38P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1190K  winsok
 wsf38p10.pdf pdf_icon

WSF38P10

WSF38P10P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NTGD1100L | APT10050LVFR | IRFP150FI | BF909A | SI1402DH | RQ3E130MN | STM8300

 

 
Back to Top

 


 
.