WSF38P10 - описание и поиск аналогов

 

WSF38P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF38P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 54 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.095 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF38P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF38P10 даташит

 ..1. Size:1190K  winsok
 wsf38p10.pdf pdf_icon

WSF38P10

WSF38P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF38P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 78m -30A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF38P10 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronou

Другие MOSFET... WSF3040 , WSF3055 , WSF3085 , WSF3085A , WSF3087 , WSF30P06 , WSF3410 , WSF35P06 , AON6380 , WSF4012 , WSF4022 , WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 , WSF40N10A , WSF40P03 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.