WSF45P06 Todos los transistores

 

WSF45P06 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF45P06

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 158 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm

Encapsulados: TO252

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WSF45P06 datasheet

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WSF45P06

WSF45P06 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

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WSF45P06

WSF45P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40A gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Otros transistores... WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 , WSF40N10A , WSF40P03 , WSF40P04 , WSF40P06 , IRFP250 , WSF45P10 , WSF50N10 , WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 .

History: SWT50N65LF | 2SK1299L | WSF40P06 | WSF4042 | IXFA180N10T2 | FS5KM-10A | WM02P06G

 

 

 

 

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