WSF45P06 - описание и поиск аналогов

 

WSF45P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF45P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF45P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF45P06 даташит

 ..1. Size:858K  winsok
 wsf45p06.pdf pdf_icon

WSF45P06

WSF45P06 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 8.1. Size:717K  winsok
 wsf45p10.pdf pdf_icon

WSF45P06

WSF45P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40A gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие MOSFET... WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 , WSF40N10A , WSF40P03 , WSF40P04 , WSF40P06 , IRFP250 , WSF45P10 , WSF50N10 , WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 .

History: NTD80N02-001 | 2SK1346 | WM02N75M2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.