Справочник MOSFET. WSF45P06

 

WSF45P06 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF45P06
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF45P06

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF45P06 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:858K  winsok
wsf45p06.pdfpdf_icon

WSF45P06

WSF45P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

 8.1. Size:717K  winsok
wsf45p10.pdfpdf_icon

WSF45P06

WSF45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие MOSFET... WSF4042 , WSF4060 , WSF40N06 , WSF40N10 , WSF40N10A , WSF40P03 , WSF40P04 , WSF40P06 , STF13NM60N , WSF45P10 , WSF50N10 , WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 .

History: MS5N100FT

 

 
Back to Top

 


 
.