WSF45P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF45P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 136 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 40 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 125 nC
Tiempo de subida (tr): 79 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 790 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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WSF45P10 Datasheet (PDF)
wsf45p10.pdf
WSF45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful
wsf45p06.pdf
WSF45P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
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