WSF45P10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF45P10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 136 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 79 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 790 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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WSF45P10 Datasheet (PDF)
wsf45p10.pdf
WSF45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful
wsf45p06.pdf
WSF45P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
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Liste
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