WSF45P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSF45P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 136 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 79 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 790 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: TO252
WSF45P10 Datasheet (PDF)
wsf45p10.pdf
WSF45P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and -100V 44m -40Agate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSF45P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful
wsf45p06.pdf
WSF45P06P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF45P06 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -60V 40m -45Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF45P06 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918