WSF70N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF70N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 113 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 70 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 42 nC
Tiempo de subida (tr): 9 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 255 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSF70N10
WSF70N10 Datasheet (PDF)
wsf70n10.pdf
WSF70N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod
wsf70p03.pdf
WSF70P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee
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