WSF70N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF70N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 113 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 255 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Encapsulados: TO252
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WSF70N10 datasheet
wsf70n10.pdf
WSF70N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod
wsf70p03.pdf
WSF70P03 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee
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History: AP8N8R0MT
History: AP8N8R0MT
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