Справочник MOSFET. WSF70N10

 

WSF70N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF70N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF70N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  winsok
 wsf70n10.pdf pdf_icon

WSF70N10

WSF70N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod

 9.1. Size:586K  winsok
 wsf70p03.pdf pdf_icon

WSF70N10

WSF70P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee

Другие MOSFET... WSF45P10 , WSF50N10 , WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , 2N60 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 .

History: SSF6816 | MTB55N10J3 | NTR4101P | IRF722FI | NCE40P20Q | SNP130L04F | SWD4N50K

 

 
Back to Top

 


 
.