Справочник MOSFET. WSF70N10

 

WSF70N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSF70N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 113 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 42 nC
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для WSF70N10

 

 

WSF70N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:693K  winsok
 wsf70n10.pdf

WSF70N10 WSF70N10

WSF70N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 100V 10m 70Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70N10 meet the RoHS and Green Power Management in TV Converter. Prod

 9.1. Size:586K  winsok
 wsf70p03.pdf

WSF70N10 WSF70N10

WSF70P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF70P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 7.5m -65Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF70P03 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guarantee

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top