WSF80N06H Todos los transistores

 

WSF80N06H MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSF80N06H
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 28.7 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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WSF80N06H Datasheet (PDF)

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WSF80N06H

WSF80N06HN-Ch MOSFETGeneral DescriptionProduct SummeryWSF80N06H use advanced VD MOST technology to provide low RDS(ON), low BVDSS RDSON ID gate charge, fast switching This device is 60V 8.0m 70Aspecially designed to get better ruggedness and suitable to use in Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Applications Excellent stability and uniformity or Invertors

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History: STB80NF55L-06 | NID9N05CL | IRF740LC | HSM3202 | NCEP068N10AG | IRF7309TRPBF | MTB60P06E3

 

 
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