WSF80N06H Todos los transistores

 

WSF80N06H MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSF80N06H

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 52 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 210 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: TO252

 Búsqueda de reemplazo de WSF80N06H MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WSF80N06H datasheet

 ..1. Size:1347K  winsok
 wsf80n06h.pdf pdf_icon

WSF80N06H

WSF80N06H N-Ch MOSFET General Description Product Summery WSF80N06H use advanced VD MOST technology to provide low RDS(ON), low BVDSS RDSON ID gate charge, fast switching This device is 60V 8.0m 70A specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Applications Excellent stability and uniformity or Invertors

Otros transistores... WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , IRF2807 , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 .

History: IXFA12N50P | TPCS8101 | FDS86252 | TPCS8204 | TPCS8102 | SWT24N50D | TPCS8105

 

 

 

 

↑ Back to Top
.