WSF80N06H - описание и поиск аналогов

 

WSF80N06H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSF80N06H

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для WSF80N06H

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF80N06H даташит

 ..1. Size:1347K  winsok
 wsf80n06h.pdf pdf_icon

WSF80N06H

WSF80N06H N-Ch MOSFET General Description Product Summery WSF80N06H use advanced VD MOST technology to provide low RDS(ON), low BVDSS RDSON ID gate charge, fast switching This device is 60V 8.0m 70A specially designed to get better ruggedness and suitable to use in Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Applications Excellent stability and uniformity or Invertors

Другие MOSFET... WSF50N10G , WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , IRF2807 , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 .

History: FDB075N15AF085 | VSO008N10MS | STFU9N65M2 | TPM7002BKM

 

 

 

 

↑ Back to Top
.