Справочник MOSFET. WSF80N06H

 

WSF80N06H Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF80N06H
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF80N06H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1347K  winsok
 wsf80n06h.pdf pdf_icon

WSF80N06H

WSF80N06HN-Ch MOSFETGeneral DescriptionProduct SummeryWSF80N06H use advanced VD MOST technology to provide low RDS(ON), low BVDSS RDSON ID gate charge, fast switching This device is 60V 8.0m 70Aspecially designed to get better ruggedness and suitable to use in Low RDS(on) & FOM Extremely low switching loss Applications Excellent stability and uniformity or Invertors

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CET04N10 | STD3N30T4 | H5N2004DS | DMP22M2UPS-13

 

 
Back to Top

 


 
.