WSF90P03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSF90P03
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 52.1 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 85 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V
Carga de la puerta (Qg): 37 nC
Tiempo de subida (tr): 22 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 808 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.006 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSF90P03
WSF90P03 Datasheet (PDF)
wsf90p03.pdf
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WSF90P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF90P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 5m -85Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF90P03 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
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