Справочник MOSFET. WSF90P03

 

WSF90P03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSF90P03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 808 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для WSF90P03

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSF90P03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:595K  winsok
 wsf90p03.pdf pdf_icon

WSF90P03

WSF90P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF90P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 5m -85Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF90P03 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous

Другие MOSFET... WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , IRF2807 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 .

History: SSM9915GJ | TPC8014 | 2SK616 | ME4485-G | IRLIZ34GPBF | MSB22A04Q8 | HYG055N08NS1C2

 

 
Back to Top

 


 
.