WSF90P03 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WSF90P03
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 52.1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 808 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для WSF90P03
WSF90P03 Datasheet (PDF)
wsf90p03.pdf
WSF90P03 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSF90P03 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -30V 5m -85Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF90P03 meet the RoHS and Green High Frequency Point-of-Load Synchronous
Другие MOSFET... WSF50P04 , WSF50P10 , WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , STF13NM60N , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 .
History: WSK180N04 | NTMFS5H425NLT1G | RD45HMF1
History: WSK180N04 | NTMFS5H425NLT1G | RD45HMF1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet


