WSG02P06 Todos los transistores

 

WSG02P06 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSG02P06
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
   Carga de la puerta (Qg): 6.3 nC
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 41 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.215 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT223

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WSG02P06 Datasheet (PDF)

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