WSG02P06 - описание и поиск аналогов

 

WSG02P06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSG02P06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 41 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.215 Ohm

Тип корпуса: SOT223

Аналог (замена) для WSG02P06

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSG02P06 даташит

 ..1. Size:2393K  winsok
 wsg02p06.pdf pdf_icon

WSG02P06

WSG02P06 P-Ch MOSFET General Description Product Summery This P-Channel enhancement mode power BVDSS RDSON ID FETs are produced with high cell density, DMOS trench technology, which is especially used to -60V 215m -2A minimize on-state resistance. This device is particularly suited for low voltage application Applications such as portable equipment, power management and o

 9.1. Size:700K  winsok
 wsg02n20.pdf pdf_icon

WSG02P06

WSG02N20 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSG02N20 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge 2A 200V 310m for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSG02N20 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

Другие MOSFET... WSF60100 , WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , 2N60 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.