WSG03N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSG03N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 47 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Encapsulados: SOT223
Búsqueda de reemplazo de WSG03N10 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WSG03N10 datasheet
wsg03n10.pdf
WSG03N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSG03N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most 100V 90m 4.8A of the small power switching and load switch applications. Applications The WSG03N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
Otros transistores... WSF6012 , WSF60N06 , WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , 8N60 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor