WSG03N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSG03N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 3.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4.8 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 6 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 47 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT223
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WSG03N10 Datasheet (PDF)
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WSG03N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSG03N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most 100V 90m 4.8Aof the small power switching and load switch applications. Applications The WSG03N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu
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