Справочник MOSFET. WSG03N10

 

WSG03N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSG03N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 47 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: SOT223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSG03N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1265K  winsok
 wsg03n10.pdf pdf_icon

WSG03N10

WSG03N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSG03N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density, which provide excellent RDSON and gate charge for most 100V 90m 4.8Aof the small power switching and load switch applications. Applications The WSG03N10 meet the RoHS and Green Product requirement with full fu

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: SQJ474EP | STP80NE03L-06

 

 
Back to Top

 


 
.