WSK180N04 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSK180N04
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1027 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de WSK180N04 MOSFET
WSK180N04 Datasheet (PDF)
wsk180n04.pdf

WSK180N04 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK180N04 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 40V 3.0m 180Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK180N04 meet the RoHS and Switching application Green Product requ
Otros transistores... WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , IRF520 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 .
History: HMS8N60F | NCE8651Q | HMS8N65F | NTMFS5H425NLT1G | FQAF12N60 | SIF1N65C | KTK597
History: HMS8N60F | NCE8651Q | HMS8N65F | NTMFS5H425NLT1G | FQAF12N60 | SIF1N65C | KTK597



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
ksc1815 | bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g