WSK180N04 Todos los transistores

 

WSK180N04 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSK180N04

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1027 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0036 Ohm

Encapsulados: TO263

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WSK180N04 datasheet

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WSK180N04

WSK180N04 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSK180N04 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 40V 3.0m 180A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK180N04 meet the RoHS and Switching application Green Product requ

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