Справочник MOSFET. WSK180N04

 

WSK180N04 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSK180N04
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 121 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1027 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK180N04 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:657K  winsok
 wsk180n04.pdf pdf_icon

WSK180N04

WSK180N04 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK180N04 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 40V 3.0m 180Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK180N04 meet the RoHS and Switching application Green Product requ

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: HM2301KR | HGB014N08A | STT6603 | 10N65Z

 

 
Back to Top

 


 
.