WSK180N04 - описание и поиск аналогов

 

WSK180N04. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSK180N04

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1027 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0036 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WSK180N04

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK180N04 даташит

 ..1. Size:657K  winsok
 wsk180n04.pdf pdf_icon

WSK180N04

WSK180N04 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSK180N04 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 40V 3.0m 180A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK180N04 meet the RoHS and Switching application Green Product requ

Другие MOSFET... WSF70N10 , WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , 75N75 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 .

History: 2SJ358 | MTB340N11N6

 

 

 

 

↑ Back to Top
.