WSK200N08A Todos los transistores

 

WSK200N08A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSK200N08A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 345 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1029 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO263
 

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WSK200N08A Datasheet (PDF)

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WSK200N08A

WSK200N08A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran

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History: NDT2N60P | IRF7404PBF | SI5933CDC | WSF10N40 | NCEP050N85D | IRF7379Q | SJMN190R60F

 

 
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