WSK200N08A Todos los transistores

 

WSK200N08A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSK200N08A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 345 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1029 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO263

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WSK200N08A datasheet

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WSK200N08A

WSK200N08A N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran

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