Справочник MOSFET. WSK200N08A

 

WSK200N08A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSK200N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 197 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263

 Аналог (замена) для WSK200N08A

 

 

WSK200N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1200K  winsok
 wsk200n08a.pdf

WSK200N08A WSK200N08A

WSK200N08A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top