WSK200N08A - описание и поиск аналогов

 

WSK200N08A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSK200N08A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для WSK200N08A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK200N08A даташит

 ..1. Size:1200K  winsok
 wsk200n08a.pdf pdf_icon

WSK200N08A

WSK200N08A N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran

Другие MOSFET... WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , AO3400A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.