WSK200N08A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: WSK200N08A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для WSK200N08A
WSK200N08A Datasheet (PDF)
wsk200n08a.pdf

WSK200N08A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran
Другие MOSFET... WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , P60NF06 , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 .
History: FS2KM-14A | TPH1500CNH | FDMS8888 | CS24N40FA9H | LP2301BLT3G | SM2617PSC | AP04N70BS-H-HF
History: FS2KM-14A | TPH1500CNH | FDMS8888 | CS24N40FA9H | LP2301BLT3G | SM2617PSC | AP04N70BS-H-HF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
bu406 | j201 datasheet | 2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115