Справочник MOSFET. WSK200N08A

 

WSK200N08A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSK200N08A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 345 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 200 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1029 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для WSK200N08A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSK200N08A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1200K  winsok
 wsk200n08a.pdf pdf_icon

WSK200N08A

WSK200N08A N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSK200N08A is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and 80V 3m 200Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSK200N08A meet the RoHS and Green Product requirement,100% EAS guaran

Другие MOSFET... WSF70P03 , WSF80N06H , WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , RU6888R , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 .

History: R6530KNX1 | NCEP065N85 | PSMN013-30MLC | IPI65R600C6 | IRFR7540PBF | SI4992EY | MTB12P04J3

 

 
Back to Top

 


 
.