WSP05N15 Todos los transistores

 

WSP05N15 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSP05N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WSP05N15 datasheet

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WSP05N15

WSP05N15 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP05N15 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON 6A 150V 37m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF05N10 meet the RoHS and Green Power Management for Boost Converters. P

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