WSP05N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP05N15
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 23 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
- Selección de transistores por parámetros
WSP05N15 Datasheet (PDF)
wsp05n15.pdf

WSP05N15 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP05N15 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON 6A150V 37mand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF05N10 meet the RoHS and Green Power Management for Boost Converters. P
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History: OSG60R580DF
History: OSG60R580DF



Liste
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