WSP05N15 - описание и поиск аналогов

 

WSP05N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSP05N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WSP05N15

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP05N15 даташит

 ..1. Size:1147K  winsok
 wsp05n15.pdf pdf_icon

WSP05N15

WSP05N15 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP05N15 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON 6A 150V 37m and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF05N10 meet the RoHS and Green Power Management for Boost Converters. P

Другие MOSFET... WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , STP65NF06 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B .

History: DMC2004LPK

 

 

 

 

↑ Back to Top
.