Справочник MOSFET. WSP05N15

 

WSP05N15 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP05N15
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WSP05N15

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP05N15 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1147K  winsok
 wsp05n15.pdf pdf_icon

WSP05N15

WSP05N15 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP05N15 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON 6A150V 37mand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF05N10 meet the RoHS and Green Power Management for Boost Converters. P

Другие MOSFET... WSF90P03 , WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , IRFZ48N , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B .

History: IRF7404TR | STU413S | PSMN013-30MLC | MTB12P04J3 | NCEP065N85 | 2SJ554 | IPI65R600C6

 

 
Back to Top

 


 
.