WSP06N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP06N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSP06N10
WSP06N10 Datasheet (PDF)
wsp06n10.pdf
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WSP06N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP06N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and 100V 85m 4.5Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP06N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
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