WSP06N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP06N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
Encapsulados: SOP8
Búsqueda de reemplazo de WSP06N10 MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
WSP06N10 datasheet
wsp06n10.pdf
WSP06N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP06N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and 100V 85m 4.5A gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP06N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed
Otros transistores... WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , IRF1405 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569 | irf640 datasheet