Справочник MOSFET. WSP06N10

 

WSP06N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSP06N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для WSP06N10

 

 

WSP06N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  winsok
 wsp06n10.pdf

WSP06N10 WSP06N10

WSP06N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP06N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and 100V 85m 4.5Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP06N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top