Справочник MOSFET. WSP06N10

 

WSP06N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP06N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WSP06N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP06N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:973K  winsok
 wsp06n10.pdf pdf_icon

WSP06N10

WSP06N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP06N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and 100V 85m 4.5Agate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP06N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSG02N20 , WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , NCEP15T14 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 .

History: VBZMB8N60 | IRFP064PBF | RCD075N20 | NCE3065K | KF5N50FS | HFH9N90 | B4N60

 

 
Back to Top

 


 
.