WSP08N10 Todos los transistores

 

WSP08N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSP08N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.051 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WSP08N10 datasheet

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WSP08N10

WSP08N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP08N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 39m 7.0A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power

Otros transistores... WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , 7N60 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 .

History: CED95P04 | ZXMP2120G4

 

 

 

 

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