WSP08N10 - описание и поиск аналогов

 

WSP08N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSP08N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.051 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WSP08N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP08N10 даташит

 ..1. Size:1040K  winsok
 wsp08n10.pdf pdf_icon

WSP08N10

WSP08N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP08N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 39m 7.0A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power

Другие MOSFET... WSG02P06 , WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , 7N60 , WSP10N10 , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.