WSP10N10 Todos los transistores

 

WSP10N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSP10N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 164 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de WSP10N10 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

WSP10N10 datasheet

 ..1. Size:661K  winsok
 wsp10n10.pdf pdf_icon

WSP10N10

WSP10N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP10N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 22m 10A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power M

Otros transistores... WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , IRFZ48N , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 .

History: K1307 | AOD480 | SE8810

 

 

 

 

↑ Back to Top
.