Справочник MOSFET. WSP10N10

 

WSP10N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP10N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WSP10N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP10N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:661K  winsok
 wsp10n10.pdf pdf_icon

WSP10N10

WSP10N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP10N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 22m 10Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power M

Другие MOSFET... WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , RU7088R , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 .

History: TF252 | SNN3100L15Q | FDN371N | SWD5N65K | CS7N80FA9 | SIA465EDJ | 10N90

 

 
Back to Top

 


 
.