WSP10N10 - описание и поиск аналогов

 

WSP10N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSP10N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 164 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для WSP10N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP10N10 даташит

 ..1. Size:661K  winsok
 wsp10n10.pdf pdf_icon

WSP10N10

WSP10N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP10N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 22m 10A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power M

Другие MOSFET... WSG03N10 , WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , IRFZ48N , WSP14N10 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 .

History: SML4020HN | DMC2004LPK | AM110N06-08P

 

 

 

 

↑ Back to Top
.