WSP10N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSP10N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 4 ns
Выходная емкость (Cd): 164 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm
Тип корпуса: SOP8
WSP10N10 Datasheet (PDF)
..1. Size:661K winsok
wsp10n10.pdf
wsp10n10.pdf
WSP10N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP10N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 100V 22m 10Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF08N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS Power M
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
