WSP14N10 Todos los transistores

 

WSP14N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSP14N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 72 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOP8

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WSP14N10 datasheet

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WSP14N10

WSP14N10 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSP14N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 16m 14A for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP14N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Otros transistores... WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , IRFZ46N , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 , WSP4407 .

History: R6030KNZ | AS2003M

 

 

 

 

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