Справочник MOSFET. WSP14N10

 

WSP14N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP14N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP14N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1452K  winsok
 wsp14n10.pdf pdf_icon

WSP14N10

WSP14N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP14N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 16m 14Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP14N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: DMN65D8LFB | 12N65KL-TF1-T | WMO15N25T2 | MTN1N60L3 | FC6B22220L | IRFR120TR | TF410

 

 
Back to Top

 


 
.