Справочник MOSFET. WSP14N10

 

WSP14N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP14N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 72 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WSP14N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP14N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1452K  winsok
 wsp14n10.pdf pdf_icon

WSP14N10

WSP14N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP14N10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 100V 16m 14Afor most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSP14N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS guaranteed

Другие MOSFET... WSK140N08 , WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , STP65NF06 , WSP16N10 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 , WSP4407 .

History: STK7002 | RDD022N50 | RDR005N25 | NTR1P02T1 | IRFR3707ZTR | JFPC18N65CI | MTBA5C10V8

 

 
Back to Top

 


 
.