WSP16N10 Todos los transistores

 

WSP16N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSP16N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 15 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 898 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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WSP16N10 Datasheet (PDF)

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WSP16N10

WSP16N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP16N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 100V 8.9m 16ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF16N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS DC/DC

Otros transistores... WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , IRF1405 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 , WSP4407 , WSP4407A .

History: NCE3N170F | WSD2068 | HRLU80N06K | IRLU3715Z | STB7NK80Z-1 | IRF7416QPBF

 

 
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