Справочник MOSFET. WSP16N10

 

WSP16N10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP16N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 898 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
 

 Аналог (замена) для WSP16N10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP16N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1148K  winsok
 wsp16n10.pdf pdf_icon

WSP16N10

WSP16N10 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSP16N10 is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent 100V 8.9m 16ARDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSF16N10 meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS DC/DC

Другие MOSFET... WSK180N04 , WSK200N08A , WSK220N04 , WSP05N15 , WSP06N10 , WSP08N10 , WSP10N10 , WSP14N10 , IRF1405 , WSP4016 , WSP4067 , WSP4067B , WSP4068 , WSP4099 , WSP4406 , WSP4407 , WSP4407A .

History: IPP052NE7N3

 

 
Back to Top

 


 
.