WSP8205 Todos los transistores

 

WSP8205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: WSP8205
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSSOP8
     - Selección de transistores por parámetros

 

WSP8205 Datasheet (PDF)

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WSP8205

WSP8205Dual N-Channel MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSP8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , 20V 20m 6.0Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8205 meet the RoHS and Green High Frequency Point-o

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History: STP36N06L | NCE0224AF | LSD65R099GT | BUK9607-30B | TK5A53D | HY1920P | KMC7D0CN20C

 

 
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