WSP8205 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSP8205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm
Encapsulados: TSSOP8
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WSP8205 datasheet
wsp8205.pdf
WSP8205 Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , 20V 20m 6.0A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8205 meet the RoHS and Green High Frequency Point-o
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History: WSP14N10 | AS2003M | R6030KNZ
History: WSP14N10 | AS2003M | R6030KNZ
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