Справочник MOSFET. WSP8205

 

WSP8205 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSP8205
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP8205 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1020K  winsok
 wsp8205.pdf pdf_icon

WSP8205

WSP8205Dual N-Channel MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSP8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , 20V 20m 6.0Awhich provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8205 meet the RoHS and Green High Frequency Point-o

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI2305A | SML40A26 | TPC8040-H | 2N4338 | SI1402DH | BF988 | BUK9514-55A

 

 
Back to Top

 


 
.