WSP8205 - описание и поиск аналогов

 

WSP8205. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSP8205

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm

Тип корпуса: TSSOP8

Аналог (замена) для WSP8205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSP8205 даташит

 ..1. Size:1020K  winsok
 wsp8205.pdf pdf_icon

WSP8205

WSP8205 Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8205 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFET with extreme high cell density , 20V 20m 6.0A which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8205 meet the RoHS and Green High Frequency Point-o

Другие MOSFET... WSP4984 , WSP6024 , WSP6039 , WSP6044 , WSP6047 , WSP6064 , WSP6067 , WSP6946 , P55NF06 , WSP8810 , WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 .

History: WSP06N10

 

 

 

 

↑ Back to Top
.