WSP8810A Todos los transistores

 

WSP8810A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSP8810A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 0.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 163 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.021 Ohm

Encapsulados: TSSOP8

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WSP8810A datasheet

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WSP8810A

WSP8810A Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8810A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 20V 14.5m 7.0A density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810A meet the RoHS and Green High Frequency Po

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WSP8810A

WSP8810 Dual N-Channel MOSFET Product Summery General Description The WSP8810 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 11.5m 7.5A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810 meet the RoHS and Green Product requirement w

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History: JMSL0315AP | MEE4294K-G | 2SK3078A | IAUC120N04S6N013 | 2SK2489 | IAUC120N04S6L009

 

 

 

 

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