Справочник MOSFET. WSP8810A

 

WSP8810A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: WSP8810A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 0.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 163 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP8

 Аналог (замена) для WSP8810A

 

 

WSP8810A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  winsok
 wsp8810a.pdf

WSP8810A WSP8810A

WSP8810ADual N-Channel MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSP8810A is the highest performance BVDSS RDSON ID trench N-ch MOSFET with extreme high cell 20V 14.5m 7.0Adensity , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810A meet the RoHS and Green High Frequency Po

 7.1. Size:1410K  winsok
 wsp8810.pdf

WSP8810A WSP8810A

WSP8810Dual N-Channel MOSFETProduct SummeryGeneral Description The WSP8810 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge 20V 11.5m 7.5Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSP8810 meet the RoHS and Green Product requirement w

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top