FCA16N60N Todos los transistores

 

FCA16N60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCA16N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40.2 nC
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

 Búsqueda de reemplazo de FCA16N60N MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

FCA16N60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:518K  fairchild semi
 fca16n60n.pdf pdf_icon

FCA16N60N

August 2009SupreMOSTMFCA16N60N N-Channel MOSFET600V, 16A, 0.170Features Description RDS(on) = 0.17 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 8A The SupreMOS MOSFET, Fairchilds next generation of highvoltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 40.2nC)process that differentiates it from preceding multi-epi basedtechnologies. By

 6.1. Size:987K  fairchild semi
 fca16n60 fca16n60 f109.pdf pdf_icon

FCA16N60N

December 2008 TMSuperFETFCA16N60 / FCA16N60_F109600V N-Channel MOSFETFeatures Description 650V @TJ = 150C SuperFETTM is, Fairchilds proprietary, new generation of highvoltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.22balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate charge perfor

Otros transistores... 2N7002KW , 2N7002MTF , 2N7002T , 2N7002V , 2N7002VA , 2N7002W , BSS138K , BSS138W , 2N7002 , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF .

 

 
Back to Top

 


 
.