FCA16N60N Todos los transistores

 

FCA16N60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FCA16N60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134.4 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.199 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3PN
 

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FCA16N60N PDF Specs

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FCA16N60N

August 2009 SupreMOSTM FCA16N60N N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170 Features Description RDS(on) = 0.17 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 8A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 40.2nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By... See More ⇒

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FCA16N60N

December 2008 TM SuperFET FCA16N60 / FCA16N60_F109 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.22 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate charge perfor... See More ⇒

Otros transistores... 2N7002KW , 2N7002MTF , 2N7002T , 2N7002V , 2N7002VA , 2N7002W , BSS138K , BSS138W , MMIS60R580P , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF .

 

 
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