FCA16N60N - описание и поиск аналогов

 

FCA16N60N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FCA16N60N

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.199 Ohm

Тип корпуса: TO3PN

Аналог (замена) для FCA16N60N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FCA16N60N даташит

 ..1. Size:518K  fairchild semi
 fca16n60n.pdf pdf_icon

FCA16N60N

August 2009 SupreMOSTM FCA16N60N N-Channel MOSFET 600V, 16A, 0.170 Features Description RDS(on) = 0.17 ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 8A The SupreMOS MOSFET, Fairchild s next generation of high voltage super-junction MOSFETs, employs a deep trench filling Ultra low gate charge ( Typ. Qg = 40.2nC) process that differentiates it from preceding multi-epi based technologies. By

 6.1. Size:987K  fairchild semi
 fca16n60 fca16n60 f109.pdf pdf_icon

FCA16N60N

December 2008 TM SuperFET FCA16N60 / FCA16N60_F109 600V N-Channel MOSFET Features Description 650V @TJ = 150 C SuperFETTM is, Fairchild s proprietary, new generation of high voltage MOSFET family that is utilizing an advanced charge Typ. Rds(on)=0.22 balance mechanism for outstanding low on-resistance and Ultra low gate charge (typ. Qg=55nC) lower gate charge perfor

Другие MOSFET... 2N7002KW , 2N7002MTF , 2N7002T , 2N7002V , 2N7002VA , 2N7002W , BSS138K , BSS138W , MMIS60R580P , IRF220 , FCA20N60F , IRF221 , FCA22N60N , IRF222 , FCA35N60 , IRF223 , FCA36N60NF .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.