WSR10N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSR10N65F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 39 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 21 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET WSR10N65F
WSR10N65F Datasheet (PDF)
wsr10n65f.pdf
WSR10N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR10N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 0.8 10Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR10N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS AC/DC
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Liste
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