WSR10N65F - аналоги и даташиты транзистора

 

WSR10N65F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: WSR10N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для WSR10N65F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR10N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2396K  winsok
 wsr10n65f.pdf pdf_icon

WSR10N65F

WSR10N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR10N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 0.8 10Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR10N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS AC/DC

Другие MOSFET... WSP6946 , WSP8205 , WSP8810 , WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , IRFP260 , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F .

History: IXTP1R4N120P | SM3308NSQA | FDMS6681Z | FQN1N50C | MXP1008AT

 

 
Back to Top

 


 
.