WSR10N65F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSR10N65F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 130 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO220F
WSR10N65F Datasheet (PDF)
..1. Size:2396K winsok
wsr10n65f.pdf
wsr10n65f.pdf
WSR10N65F N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR10N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 0.8 10Aof the synchronous buck converter applications . Applications The WSR10N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS AC/DC
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
