WSR10N65F - описание и поиск аналогов

 

WSR10N65F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSR10N65F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 39 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для WSR10N65F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR10N65F даташит

 ..1. Size:2396K  winsok
 wsr10n65f.pdf pdf_icon

WSR10N65F

WSR10N65F N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR10N65F is the highest performance trench RDSON ID BVDSS N-Ch MOSFET with extreme high cell density,which provide excellent RDSON and gate charge for most 650V 0.8 10A of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR10N65F meet the RoHS and Green Product requirement , 100% EAS AC/DC

Другие MOSFET... WSP6946 , WSP8205 , WSP8810 , WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , 2SK3878 , WSR140N08 , WSR18P10 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F .

History: ME8107-G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.