WSR18P10 Todos los transistores

 

WSR18P10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: WSR18P10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 185 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO220

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WSR18P10 datasheet

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WSR18P10

WSR18P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR18P10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -100V 80m -25A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR18P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

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History: SD5001N | AP25N170I | SK2302AA

 

 

 

 

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