Справочник MOSFET. WSR18P10

 

WSR18P10 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: WSR18P10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для WSR18P10

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR18P10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:508K  winsok
 wsr18p10.pdf pdf_icon

WSR18P10

WSR18P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR18P10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -100V 80m -25Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR18P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие MOSFET... WSP8810 , WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , K4145 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 .

 

 
Back to Top

 


 
.