WSR18P10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: WSR18P10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 89 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 25 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 50 nC
Время нарастания (tr): 33 ns
Выходная емкость (Cd): 185 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
Тип корпуса: TO220
WSR18P10 Datasheet (PDF)
..1. Size:508K winsok
wsr18p10.pdf
wsr18p10.pdf
WSR18P10 P-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR18P10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -100V 80m -25Afor most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR18P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
