WSR18P10 - описание и поиск аналогов

 

WSR18P10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: WSR18P10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для WSR18P10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

WSR18P10 даташит

 ..1. Size:508K  winsok
 wsr18p10.pdf pdf_icon

WSR18P10

WSR18P10 P-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR18P10 is the highest performance trench BVDSS RDSON ID P-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge -100V 80m -25A for most of the small power switching and load switch applications. Applications The WSR18P10 meet the RoHS and Green Product requirement with ful

Другие MOSFET... WSP8810 , WSP8810A , WSP9435 , WSP9926A , WSP9926B , WSP9936 , WSR10N65F , WSR140N08 , 2N7002 , WSR200N08 , WSR25N20 , WSR45P10 , WSR4N65F , WSR60N06 , WSR7N65F , WSR80N06 , WSR80N08 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.