WSR200N08 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSR200N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 345 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1029 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
Encapsulados: TO220FB
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WSR200N08 datasheet
wsr200n08.pdf
WSR200N08 N-Ch MOSFET General Description Product Summery The WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200A and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching application Product requi
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History: FDMC86520L
History: FDMC86520L
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