WSR200N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: WSR200N08
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 345 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 80 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 25 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 200 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 197 nC
Tiempo de subida (tr): 18 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1029 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0035 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220FB
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WSR200N08 Datasheet (PDF)
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WSR200N08 N-Ch MOSFETGeneral Description Product SummeryThe WSR200N08 is the highest performance ID BVDSS RDSON trench N-Ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON 80V 2.9m 200Aand gate charge for most of the synchronous buck converter applications . Applications The WSR200N08 meet the RoHS and Green Switching applicationProduct requi
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